参数资料
型号: BAT54VV,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 1/9页
文件大小: 96K
描述: DIODE SCHTK TRPL 30V 200MASOT666
标准包装: 4,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 25V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 30V
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 3 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SOT-666
包装: 带卷 (TR)
1. Product profile
1.1 General description
Planar Schottky barrier triple diode with an integrated guard ring for stress protection.
Three electrically isolated Schottky barrier diodes, encapsulated in a SOT666 ultra small
SMD plastic package.
1.2 Features
Low forward voltage
Ultra small SMD plastic package
Low capacitance
Flat leads: excellent coplanarity and improved thermal behavior
1.3 Applications
Ultra high-speed switching
Voltage clamping
Line termination
Inverse-polarity protection
1.4 Quick reference data
2. Pinning information
BAT54VV
Schottky barrier triple diode in
ultra small SOT666 package
Rev. 02 — 15 January 2010 Product data sheet
Table 1. Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VR
continuous reverse voltage - - 30 V
IF
continuous forward current - - 200 mA
Table 2. Pinning
Pin
Description
Simplified outline
Symbol
1 anode (diode 1)
2 anode (diode 2)
3 anode (diode 3)
4 cathode (diode 3)
5 cathode (diode 2)
6 cathode (diode 1)
SOT666
123
4
5
6
6
1
5
2
4
3
sym046
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PDF描述
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BAT54W,115 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 200MA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel