参数资料
型号: BAT54VV,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 5/9页
文件大小: 96K
描述: DIODE SCHTK TRPL 30V 200MASOT666
标准包装: 4,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 25V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 30V
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 3 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SOT-666
包装: 带卷 (TR)
BAT54VV_2
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 15 January 2010 5 of 9
NXP Semiconductors
BAT54VV
Schottky barrier triple diode in ultra small SOT666 package
8. Package outline
Fig 4. Package outline SOT666.
UNIT bA
p
cDE
e1
HE
Lp
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
04-11-08
06-03-16
IEC JEDEC JEITA
mm
0.27
0.17
0.18
0.08
1.7
1.5
1.3
1.1
0.5
e
1.0
1.7
1.5
0.1
y
0.1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.3
0.1
SOT666
bp
pin 1 index
D
e1
e
A
Lp
detail X
HE
E
A
S
0 1 2 mm
scale
0.6
0.5
c
X
123
4
5
6
Plastic surface-mounted package; 6 leads SOT666
YS
w
M
A
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PDF描述
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参数描述
BAT54W 功能描述:肖特基二极管与整流器 0.2 Amp 30 Volt Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
BAT54-W 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:Sub-miniature Schottky Diodes & Arrays in
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BAT54W,115 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30V 200MA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel