参数资料
型号: BAT74S,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 5/10页
文件大小: 162K
描述: DIODE SCHTK DUAL 30V 200MA SC-88
标准包装: 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 25V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 30V
反向恢复时间(trr): 5ns
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: 6-TSSOP
包装: 带卷 (TR)
NXP Semiconductors
BAT74S
Dual Schottky barrier diode
BAT74S
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Product data sheet
22 November 2012
4
/
10
7.
Characteristics
Table 7.
Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
IF
= 0.1 mA; pulsed; t
p
= 300 μs;
δ
= 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
240
mV
IF
= 1 mA; pulsed; t
p
= 300 μs;
δ
= 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
320
mV
IF
= 10 mA; pulsed; t
p
= 300 μs;
δ
= 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
400
mV
IF
= 30 mA; pulsed; t
p
= 300 μs;
δ
= 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
500
mV
VF
forward voltage
IF
= 100 mA; pulsed; t
p
= 300 μs;
δ
= 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
800
mV
IR
reverse current
VR
= 25 V; pulsed; t
p
= 300 μs;
δ
= 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
-
2
μA
Cd
diode capacitance
VR
= 1 V; f
= 1 MHz; T
amb
= 25 °C
-
-
10
pF
trr
reverse recovery time
IF
= 10 mA; I
R
= 10 mA; R
L
= 100 Ω;
IR(meas)
= 1 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
5
ns
006aac829
VF
(V)
0.0
1.2
0.8
0.4
1
10
102
103
IF
(mA)
10-1
(1)
(1)
(2)
(2)
(3)
(3)
(1) Tamb
= 125 °C
(2) Tamb
= 85 °C
(3) Tamb
= 25 °C
Fig. 2.
Forward current as a function of forward
voltage; typical values
aaa-004515
VR
(V)
0
30
20
10
1
10
102
103
IR
(μA)
10-1
(1)
(2)
(3)
(1) Tamb
= 125 °C
(2) Tamb
= 85 °C
(3) Tamb
= 25 °C
Fig. 3.
Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
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PDF描述
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