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参数资料
| 型号： | BAT74S,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 162K |
| 描述： | DIODE SCHTK DUAL 30V 200MA SC-88 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2µA @ 25V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 反向恢复时间(trr)： | 5ns |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | 6-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
BAT74S
Dual Schottky barrier diode
BAT74S
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? NXP B.V. 2012. All rights reserved
Product data sheet
22 November 2012
5
/
10
006aac891
VR
(V)
0
30
20
10
4
6
2
8
10
Cd
(pF)
0
Tamb
= 25 °C; f = 1 MHz
Fig. 4.
Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
8.
Test information
trr
(1)
+
IF
t
output
signal
tr
tp
t
10
%
90
%
VR
input
signal
V
=
VR
+IF
×RS
RS
=
50
Ω
IF
D.U.T.
Ri
=
50
Ω
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
mga881
(1) IR
= 1 mA
Fig. 5.
Reverse recovery time test circuit and waveforms
8.1
Quality information
This product has been qualified in accordance with the Automotive Electronics Council
(AEC) standard Q101 - Stress test qualification for discrete semiconductors, and is
suitable for use in automotive applications.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAT74V,115 | DIODE SCHTK DUAL 30V 200MASOT666 |
| BAT754L,115 | DIODE SCHTK TRPL 30V 200MASOT363 |
| BAV170,215 | DIODE SW DUAL 75V 215MA SOT-23 |
| BAV199,235 | DIODE SW DUAL 75V 160MA SOT-23 |
| BAV199DW-7 | DIODE SW ARRAY 85V 200MW SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAT74V | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY SOT-666 |
| BAT74V T/R | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY TAPE-7 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| BAT74V,115 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| BAT74V/DG,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHABAT74V/DG,115 TRAICS |
| BAT750 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:0.75A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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