参数资料
型号: BAT74V,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 3/7页
文件大小: 170K
描述: DIODE SCHTK DUAL 30V 200MASOT666
标准包装: 4,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 25V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 30V
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SOT-666
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 934056719115
BAT74V T/R
BAT74V T/R-ND
2002 Sep 02 3
NXP Semiconductors
Product data sheet
Schottky barrier double diode BAT74V
CHARACTERISTICS
Tamb
=
25
°C unless otherwise specified.
Note
1. Pulse test: tp
=
300
μs; δ
=
0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Refer to SOT666 standard mounting conditions.
Soldering
The only recommended soldering method is reflow soldering.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
VF
continuous forward voltage
IF
=
0.1
mA
240
mV
IF
=
1
mA
320
mV
IF
=
10
mA
400
mV
IF
=
30
mA
500
mV
IF
=
100
mA; note
1; see Fig.2
800
mV
IR
reverse current
VR
=
25
V; note
1; see Fig.3
2
μA
Cd
diode capacitance
VR
=
1
V; f
=
1
MHz; see Fig.4
10
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth
j-a
thermal resistance from
junction to ambient
note
1
416
K/W
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PDF描述
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BAT750-7 功能描述:肖特基二极管与整流器 40V 0.75A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
BAT750-7-F 功能描述:肖特基二极管与整流器 40V 0.75A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel