参数资料
型号: BAT74V,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 4/7页
文件大小: 170K
描述: DIODE SCHTK DUAL 30V 200MASOT666
标准包装: 4,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 2µA @ 25V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 30V
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SOT-666
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 934056719115
BAT74V T/R
BAT74V T/R-ND
2002 Sep 02 4
NXP Semiconductors
Product data sheet
Schottky barrier double diode BAT74V
GRAPHICAL DATA
3handbook, halfpage10
IF
VF
(V)
102
(mA)
10
1
10
1
0
1.2
0.8
0.4
MSA892
(2)
(3)
(1)
(1)
(2)
(3)
Fig.2 Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
(1) Tamb
= 125
°C.
(2) Tamb
= 85
°C.
(3) Tamb
= 25
°C.
0102030V (V)R
10
3
IR
(μA)
10
2
10
1
10
1
(1)
(2)
(3)
MSA893
Fig.3 Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values.
(1) Tamb
= 125
°C.
(2) Tamb
= 85
°C.
(3) Tamb
= 25
°C.
15handbook, halfpage
0
0102030VR
(V)
5
10
Cd
(pF)
MSA891
Fig.4 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tamb
= 25
°C.
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PDF描述
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BAT750-7 功能描述:肖特基二极管与整流器 40V 0.75A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
BAT750-7-F 功能描述:肖特基二极管与整流器 40V 0.75A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel