参数资料
型号: BBS3002-DL-E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 100A SMP-FD
标准包装: 1,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.8 毫欧 @ 50A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 13200pF @ 20V
功率 - 最大: 90W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: SMP-FD
包装: 带卷 (TR)
BBS3002
--200
--180
ID -- VDS
Tc=25°C
--200
--180
VDS= --10V
ID -- VGS
--140
--160
--120
--100
--80
--60
--40
--20
--4V
VGS= --3V
--140
--160
--120
--100
--80
--60
--40
--20
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
Drain to Source Voltage, VDS -- V
Gate to Source Voltage, VGS -- V
20
18
16
RDS(on) -- VGS
IT14173
ID= --50A
Single pulse
12
10
RDS(on) -- Tc
IT14174
Single pulse
= --
--4V
VGS
= --5
V, I D
--10
VGS
14
12
10
8
8
6
=
=
, ID
50A
0A
6
4
2
Tc=75°C
25°C
--25°C
4
2
0
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
Gate to Source Voltage, VGS -- V
° C
--2
Tc
° C
3
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
--0.1
2
3
| y fs | -- ID
25
5 ° C
=
75
5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2 3 5 7 --100
IT14175
VDS= --10V
--1K
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
0
VGS=0V
Single pulse
--0.2
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
--0.4 --0.6 --0.8
--1.0
IT14176
--1.2
5
3
VDD= --30V
VGS= --10V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14177
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT17199
f=1MHz
2
1000
td(off)
10000
7
Ciss
7
5
3
tf
5
3
2
100
7
tr
td(on)
2
1000
7
Coss
Crss
5
--0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
5
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain Current, ID -- A
IT14179
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT14180
No. A1357-2/6
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PDF描述
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