参数资料
型号: BBS3002-DL-E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 100A SMP-FD
标准包装: 1,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.8 毫欧 @ 50A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 13200pF @ 20V
功率 - 最大: 90W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: SMP-FD
包装: 带卷 (TR)
BBS3002
Package Dimensions
BBS3002-DL-1E
D2PAK/TO-263-2L
CASE 418AP
ISSUE O
Unit : mm
1: Gate
2: Drain
3: Source
4: Drain
Land Pattern Example
Packing Type: DL
Electrical Connection
2, 4
DL
1
3
No. A1357-4/6
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PDF描述
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