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参数资料
| 型号： | BBS3002-DL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 100A SMP-FD |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 280nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13200pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | SMP-FD |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BBS3002
μ s
0 μ
1m
10
s
0m
op
ati
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
VDS= --30V
ID= --100A
VGS -- Qg
--1000
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
ASO
IDP= --400A
ID= --100A
Operation in DC
this area is
limited by RDS(on).
10
er
PW ≤ 10 μ s
10
10
s
s
m
s
on
--2
--1.0
7
5
Tc=25 ° C
--1
0
0
50
100
150
200
250
300
3
2
--0.1 Single pulse
--0.1 2 3 5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
100
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
IT14181
120
Drain to Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
IT14182
90
80
70
60
50
40
30
20
10
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature, Tc -- ° C
IT14183
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14184
No. A1357-3/6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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