型号: | BC857T/R |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
封装: | PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN |
文件页数: | 6/10页 |
文件大小: | 158K |
代理商: | BC857T/R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BC857BT/R | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
BCL-A2SMYG1 | PCB CONNECTOR, SOCKET |
BCP-3.3/15-2.5/15-D24L1 | 2-OUTPUT 50 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
BCR162F | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BCR39PN | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BC857U | 制造商:KODENSHI 制造商全称:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:General purpose application |
BC857UF | 制造商:AUK 制造商全称:AUK corp 功能描述:PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application) |
BC857W | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistors |
BC857W /T3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
BC857W T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |