参数资料
| 型号： | BD9011KV-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 22/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BST PWM 48-VQFP |
| 标准包装： | 1 |
| PWM 型： | 控制器 |
| 输出数： | 2 |
| 频率 - 最大： | 550kHz |
| 电源电压： | 3.9 V ~ 30 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 是 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 48-LQFP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1373 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BD9011KV-E2DKR |
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● SETTING UP INFOMATION (BD9775FV)
1)Simultaneously OFF Duty of MOSFETs for Synchronous Rectification
The simultaneously OFF duty of both main MOSFET switch and synchronous rectification MOSFET is determined by
resistance (Rsync) between SYNC and GND. See Fig. 4.
In Synchronous Rectification, insert RFB2-GND (RFB2-GND ≒ 3 × Rsync) between FB2 and GND, because it is possible to
reduce overshoot(sea fig.2). RFB2-GND decide following formula.
40
35
T=-40℃
30
25
fosc=100kHz
Δ duty=(t1+t2)/t × 100 (%)
T= 25℃
T=105℃
t
t1
t2
20
OUT2H
15
10
5
0
OUT2L
0
20
40
60
80
100
Rsync (kΩ)
Fig.2
? Resistance at FB2-GND setup condition
Threshold Voltage at100%
Vsync
-Output Source Current at FB2
3 × Rsync(MAX)
< R FB2-GND < 3xRsync(MIN)
2.08
< R FB2-GND < 3xRsync(MIN)
0.4908
Rsync(MAX)
+80.7x10
-6
※ Rsync(MAX) … MAX dispersion range at Rsync
Rsync(MIN) … MIN dispersion range at Rsync
SYNC
FB2
R FB2-GND
Rsync
Short SYNC to VREF if the synchronous rectification function is not needed.
VREF
SYNC
Without Synchronous Rectification （ Don’t insert R FB2-GND ）
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BD9013KV-E2 | 功能描述:DC/DC 开关控制器 Step Down; 2 Outputs RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输入电压:6 V to 100 V 开关频率: 输出电压:1.215 V to 80 V 输出电流:3.5 A 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:CPAK |
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| BD9016KV-ME2 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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