参数资料
| 型号： | BD9139MUV-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 11/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 16VQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 降压（降压） |
| 输出类型： | 可调式 |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 0.8 V ~ 3.3 V |
| 输入电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 频率 - 开关： | 1MHz |
| 电流 - 输出： | 3A |
| 同步整流器： | 是 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 供应商设备封装： | 16-VQFN（3x3） |
| 其它名称： | BD9139MUV-E2DKR |
BD9139MUV
Datasheet
Advantage 3 ：? Supplied in smaller package due to small-sized power MOS FET incorporated.
? Output capacitor Co required for current mode control: 22μF ceramic capacitor
? Inductance L required for the operating frequency of 1 MHz: 2.2μH inductor
? Incorporates FET + Boot strap diode
EN
Reduces a mounting area required.
V CC
VREF
VCC
BST
20mm
+
Gm Amp
+
Soft
Start
ADJ
Current
Comp
R Q
S
SLOPE CLK
OSC
VCC
UVLO
TSD
SCP
ITH
Current
Sense/
Protect
+
Driver
Logic
PVCC
PVCC
SW
PGND
GND
3.3V
Input
Output
15mm
R 1
R 2
Rf
C f C BST
R ITH
C ITH
C IN
Co
L
R ITH C ITH
R1 R2
Fig.26 Example application
● Switching Regulator Efficiency
Efficiency ? may be expressed by the equation shown below:
η =
V OUT × I OUT
Vin × Iin
× 100[%]=
P OUT
Pin
× 100[%]=
P OUT
P OUT +P D α
× 100[%]
1) ON resistance dissipation of inductor and FET ： PD(I R)
1)PD(I R)=I OUT × (R COIL +R ON ) (R COIL [ Ω ] ： DC resistance of inductor, R ON [ Ω ] ： ON resistance of FET, I OUT [A] ： Output
2)PD(Gate)=Cgs × f × V
(Cgs[F] ： Gate capacitance of FET, f[H] ： Switching frequency, V[V] ： Gate driving voltage of FET)
Vin × C RSS × I OUT × f
4)PD(ESR)=I RMS × ESR (I RMS [A] ： Ripple current of capacitor, ESR[ Ω ] ： Equivalent series resistance.)
Efficiency may be improved by reducing the switching regulator power dissipation factors P D α as follows:
Dissipation factors:
2
2) Gate charge/discharge dissipation ： PD(Gate)
3) Switching dissipation ： PD(SW)
4) ESR dissipation of capacitor ： PD(ESR)
5) Operating current dissipation of IC ： PD(IC)
2 2
current.)
2
2
3)PD(SW)= (C RSS [F] ： Reverse transfer capacitance of FET, I DRIVE [A] ： Peak current of gate.)
I DRIVE
2
5)PD(IC)=Vin × I CC
(I CC [A] ： Circuit current.)
www.rohm.com
?2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 ? 15 ? 001
11/20
TSZ02201-0J3J0AJ00170-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
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