参数资料
| 型号： | BD9139MUV-E2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG BUCK SYNC ADJ 3A 16VQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 降压（降压） |
| 输出类型： | 可调式 |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 0.8 V ~ 3.3 V |
| 输入电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 频率 - 开关： | 1MHz |
| 电流 - 输出： | 3A |
| 同步整流器： | 是 |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 供应商设备封装： | 16-VQFN（3x3） |
| 其它名称： | BD9139MUV-E2DKR |
BD9139MUV
● Absolute Maximum Ratings (Ta=25 ℃ )
Datasheet
Parameter
Symbol
Limits
Unit
V CC Voltage
PV CC Voltage
V CC
PV CC
-0.3 to +7 *
-0.3 to +7 *
1
1
V
V
0.27 *
BST Voltage
BST_SW Voltage
EN Voltage
SW,ITH Voltage
Power Dissipation 1
V BST
V BST - SW
VEN
VSW,
VITH
Pd1
-0.3 to +13
-0.3 to +7
-0.3 to +7
-0.3 to +7
2
V
V
V
V
W
Power Dissipation 2
Power Dissipation 3
Power Dissipation 4
Pd2
Pd3
Pd4
0.62 *
1.77 *
2.66 *
3
4
5
W
W
W
Operating temperature range
Storage temperature range
Maximum junction temperature
Topr
Tstg
Tjmax
-40 to +105
-55 to +150
+150
℃
℃
℃
＊ 1
＊ 2
＊ 3
＊ 4
＊ 5
Pd should not be exceeded.
IC only
1-layer. mounted on a 74.2mm × 74.2mm × 1.6mm glass-epoxy board, occupied area by copper foil : 6.28mm 2
4-layer. mounted on a 74.2mm × 74.2mm × 1.6mm glass-epoxy board, occupied area by copper foil : 6.28mm 2 , in each layers
4-layer. mounted on a 74.2mm × 74.2mm × 1.6mm glass-epoxy board, occupied area by copper foil : 5505mm 2 , in each layers
● Recommended Operating Ratings (Ta=-40 to +105 ℃ )
3.3*
3.0*
Parameter
Power Supply Voltage
EN Voltage
Output voltage Setting Range
SW average output current
Symbol
V CC
PV CC
V EN
V OUT
I SW
Min.
2.7
2.7
0
0.8
-
Typ.
3.3
3.3
-
-
-
Max.
5.5
5.5
5.5
6
7
Unit
V
V
V
V
A
＊ 6
＊ 7
In case set output voltage 1.6V or more, VccMin = Vout+1.3V.
Pd should not be exceeded.
● Electrical Characteristics (Ta=25 ℃ V CC =PV CC =3.3V, EN=V CC , R 1 =10k Ω , R 2 =5k Ω , unless otherwise specified.)
Parameter
Standby current
Active current
EN Low voltage
EN High voltage
EN input current
Oscillation frequency
High side FET ON resistance
Low side FET ON resistance
ADJ Voltage
ITH SI nk current
ITH S ource C urrent
UVLO threshold voltage
UVLO release voltage
Soft start time
Timer latch time
Output Short circuit
Threshold Voltage
Symbol
I STB
I CC
V ENL
V ENH
I EN
F OSC
R ONH
R ONL
V ADJ
I THSI
I THSO
V UVLO1
V UVLO2
T SS
T LATCH
V SCP
Min.
-
-
-
2.0
-
0.8
-
-
0.788
10
10
2.400
2.425
0.5
0.5
-
Typ.
0
200
GND
Vcc
3.3
1
100
80
0.800
18
18
2.500
2.550
1
1
0.40
Max.
10
500
0.8
-
10
1.2
165
135
0.812
-
-
2.600
2.700
2
2
0.56
Unit
μA
μA
V
V
μA
MHz
m Ω
m Ω
V
μ A
μ A
V
V
ms
ms
V
Conditions
EN=GND
Standby mode
Active mode
V EN =3.3V
PV CC =3.3V
PV CC =3.3V
V ADJ =1V
V ADJ =0.6V
V CC =3.3V → 0V
V CC =0V → 3.3V
V ADJ =0.8V → 0V
www.rohm.com
?2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 ? 15 ? 001
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TSZ02201-0J3J0AJ00170-1-2
02.MAR.2012 Rev.001
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