- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378411 > BF1206 (NXP Semiconductors N.V.) Dual N-channel dual-gate MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BF1206 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1206<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件页数： | 18/22页 |
| 文件大小： | 628K |
| 代理商： | BF1206 |
2003 Nov 17
18
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual-gate MOS-FET
BF1206
Amplifier b scattering parameters
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C
Noise data
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.43
6.84
13.61
20.37
27.05
33.68
40.17
46.54
52.86
58.60
64.34
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.69
3.38
6.72
10.08
13.46
16.83
20.25
23.68
27.22
30.57
34.14
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.991
0.989
0.982
0.973
0.961
0.947
0.933
0.919
0.905
0.890
0.881
3.44
3.43
3.41
3.38
3.34
3.29
3.23
3.16
3.09
3.02
2.94
176.33
172.66
165.44
158.20
151.04
144.02
137.12
130.22
123.22
116.84
110.20
0.0008
0.0015
0.0029
0.0041
0.0051
0.0058
0.0062
0.0063
0.0065
0.0055
0.0058
86.54
84.92
80.95
77.63
74.43
71.86
70.28
70.72
72.37
75.91
89.82
0.988
0.987
0.985
0.982
0.978
0.973
0.969
0.965
0.960
0.958
0.958
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
400
800
1.3
1.4
0.648
0.604
14.4
31.1
28.8
27.9
handbook, full pagewidth
DUT
C1
4.7 nF
R1
10 k
Ω
MGS315
C4
4.7 nF
L1
≈
2.2
μ
H
C3
4.7 nF
RL
50
Ω
VGG
VAGC
VDS
RGEN
50
Ω
VI
R2
50
Ω
4.7 nF
C2
RG1
Fig.35 Cross-modulation test set-up (for one MOS-FET).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1207 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1207 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1208D | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1208D | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1208 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1206,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1206115 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BF1206F | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET |
| BF1206F,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF1207 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。