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参数资料
| 型号： | BF1218 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封装： | BF1218<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件页数： | 18/23页 |
| 文件大小： | 672K |
| 代理商： | BF1218 |
BF1218_1
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 14 April 2010
18 of 23
NXP Semiconductors
BF1218
Dual N-channel dual gate MOSFET
9. Test information
Fig 33. Cross modulation test set-up for amplifier A
Fig 34. Cross modulation test set-up for amplifier B
50
Ω
10 k
Ω
RGEN
50
Ω
RL
50
Ω
50
Ω
RG1
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G2
S
G1B
DB
DA
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G1A
BF1218
V
GG
0V
V
AGC
L2
2.2
μ
H
L1
2.2
μ
H
001aak331
Vi
V
DS(A)
5V
V
DS(A)
5V
50
Ω
10 k
Ω
RGEN
50
Ω
50
Ω
RG1
4.7 nF
4.7 nF
4.7 nF
G2
S
G1B
DB
DA
4.7 nF
4.7 nF
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G1A
BF1218
V
GG
5V
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AGC
L2
2.2
μ
H
L1
2.2
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H
RL
50
Ω
001aak332
Vi
V
DS(A)
5V
V
DS(A)
5V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1218 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF245A | N-channel FET |
| BF245B | N-channel FET |
| BF245C | N-channel FET |
| BF510 | N-channel silicon FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF1218,115 | 功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel |
| BF-1218-31SV06-Y70 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk |
| BF-1218-31SV-Y103 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk |
| BF-1222-19SV-Y70 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:MIL-C-83723 FIREWALL - Bulk |
| BF1225 | 功能描述:EMI/RFI 抑制器及铁氧体 EMI/RFI Suppressor Splt Fer Rnd Cbl Snp RoHS:否 制造商:Fair-Rite 产品:Ferrite Cores 阻抗:365 Ohms 容差: 最大直流电流: 最大直流电阻: 工作温度范围:- 55 C to + 125 C 封装 / 箱体: 端接类型:SMD/SMT |
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