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参数资料
| 型号： | BF245C |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BF245C<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 6, 2005,; |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | BF245C |
1996 Jul 30
4
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF245A; BF245B; BF245C
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Common source; T
amb
= 25
C; unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
3
TYP.
MAX.
6.5
UNIT
C
is
C
rs
C
os
g
is
g
os
y
fs
input capacitance
reverse transfer capacitance
output capacitance
input conductance
output conductance
forward transfer admittance
V
DS
= 20 V; V
GS
=
1 V; f = 1 MHz
V
DS
= 20 V; V
GS
=
1 V; f = 1 MHz
V
DS
= 20 V; V
GS
=
1 V; f = 1 MHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 200 MHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 200 MHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 1 kHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 200 MHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 200 MHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 1 kHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; g
fs
= 0.7 of its
value at 1 kHz
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; f = 100 MHz;
R
G
= 1 k
(common source);
input tuned to minimum noise
4
1.1
1.6
250
40
6
1.4
25
700
pF
pF
pF
S
S
mS
mS
mS
S
MHz
y
rs
y
os
f
gfs
reverse transfer admittance
output admittance
cut-off frequency
F
noise figure
1.5
dB
handbook, halfpage
IGSS
(nA)
10
3
10
2
10
1
1
150
50
0
MGE785
100
typ
Tj (
°
C)
Fig.2
Gate leakage current as a function of
junction temperature; typical values.
V
DS
= 0; V
GS
=
20 V.
Fig.3
Transfer characteristics for BF245A;
typical values.
handbook, halfpage
(mA)
VGS (V)
0
4
0
2
MGE789
5
4
3
2
1
V
DS
= 15 V; T
j
= 25
C.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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