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参数资料
| 型号： | BF245C |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BF245C<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 6, 2005,; |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | BF245C |
1996 Jul 30
8
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF245A; BF245B; BF245C
Fig.16 Input capacitance as a function of
gate-source voltage; typical values.
V
DS
= 20 V; f = 1 MHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
0
4
2
0
2
10
MGE777
4
6
8
VGS (V)
Cis
(pF)
typ
Fig.17 Reverse transfer capacitance as a function
of gate-source voltage; typical values.
V
DS
= 20 V; f = 1 MHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
0
10
0.5
MGE781
1
Crs
(pF)
2
4
6
8
VGS (V)
typ
Fig.18 Forward transfer admittance as a function of
drain current; typical values.
handbook, halfpage
|yfs|
(mA/V)
6
0
MGE791
4
2
ID (mA)
0
20
10
15
5
BF245A
BF245B
BF245C
V
DS
= 15 V; f = 1 kHz; T
amb
= 25
C.
Fig.19 Gate-source cut-off voltage as a function of
drain current; typical values.
V
DS
= 15 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
at ID = 10 nA
(V)
0
10
30
0
MGE784
20
2
4
6
8
BF245A
IDSS at VGS = 0 (mA)
BF245B
BF245C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF510 | N-channel silicon FET |
| BF511 | N-channel silicon FET |
| BF512 | N-channel silicon FET |
| BF513 | N-channel silicon FET |
| BF545A | N-channel FET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF245C,112 | 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF245C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92 |
| BF245C_D26Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF245C_D27Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BF245C_D74Z | 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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