参数资料
型号: BF245C
厂商: NXP Semiconductors N.V.
元件分类: JFETs
英文描述: N-channel FET
封装: BF245C<SOT54 (TO-92)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT54.html<1<week 6, 2005,;
文件页数: 9/13页
文件大小: 286K
代理商: BF245C
1996 Jul 30
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel silicon field-effect transistors
BF245A; BF245B; BF245C
Fig.20 Drain-source on-state resistance as a
function of gate-source voltage;
typical values.
V
DS
= 0; f = 1 kHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
RDSon
(k
Ω
)
3
10
1
1
10
10
2
4
2
1
0
MGE790
3
BF245A
BF245B
BF245C
VGS (V)
Fig.21 Noise figure as a function of frequency;
typical values.
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; R
G
= 1 k
; T
amb
= 25
C.
Input tuned to minimum noise.
handbook, halfpage
0
MGE786
1
10
typ
10
2
10
3
1
2
F
(dB)
f (MHz)
相关PDF资料
PDF描述
BF510 N-channel silicon FET
BF511 N-channel silicon FET
BF512 N-channel silicon FET
BF513 N-channel silicon FET
BF545A N-channel FET
相关代理商/技术参数
参数描述
BF245C,112 功能描述:射频JFET晶体管 BULK FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF245C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR JFET N TO-92
BF245C_D26Z 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
BF245C_D27Z 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
BF245C_D74Z 功能描述:JFET N-Channel Transistor RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel