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参数资料
| 型号： | BF861A |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BF861A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | BF861A |
BF861A_BF861B_BF861C
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 15 September 2011
2 of 14
NXP Semiconductors
BF861A; BF861B; BF861C
N-channel junction FETs
2. Pinning information
Table 2.
Pin
1
2
3
3. Ordering information
Table 3.
Type
number
4. Marking
Table 4.
Type number
BF861A
BF861B
BF861C
[1]
* = p: Made in Hong Kong.
* = t: Made in Malaysia.
* = W: Made in China.
5. Limiting values
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
GSO
gate-source voltage
V
DGO
drain-gate voltage (DC)
I
G
forward gate current (DC)
P
tot
total power dissipation
T
stg
storage temperature
T
j
operating junction
temperature
[1]
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
Discrete pinning
Description
source
drain
gate
Simplified outline
Symbol
1
2
3
sym053
1
2
3
Ordering information
Package
Name
-
-
-
Description
plastic surface mounted package; 3 leads
plastic surface mounted package; 3 leads
plastic surface mounted package; 3 leads
Version
SOT23
SOT23
SOT23
BF861A
BF861B
BF861C
Marking codes
Marking code
[1]
28*
29*
30*
Limiting values
Conditions
Min
-
-
-
-
Max
25
25
25
10
250
+150
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
open drain
open source
up to T
amb
= 25
C
[1]
-
65
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF861B | N-channel FET |
| BF861C | N-channel FET |
| BF862 | N-channel junction FET |
| BF904A | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF904A | N-channel dual-gate MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BF861A T/R | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF861A,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BF861A,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BF861A Series 25 V 6.5 mA 250 mW Surface Mount N-Channel Junction FETs-SOT-23-3 |
| BF861B | 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: |
| BF861B,215 | 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 25V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
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