参数资料
型号: BF861A
厂商: NXP Semiconductors N.V.
元件分类: JFETs
英文描述: N-channel FET
封装: BF861A<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
文件页数: 6/14页
文件大小: 121K
代理商: BF861A
BF861A_BF861B_BF861C
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 5 — 15 September 2011
6 of 14
NXP Semiconductors
BF861A; BF861B; BF861C
N-channel junction FETs
V
DS
= 8 V.
V
DS
= 8 V.
(1) V
GS
= 0 V.
(2) V
GS
=
100 mV.
(3) V
GS
=
200 mV.
(4) V
GS
=
300 mV.
(5) V
GS
=
400 mV.
(6) V
GS
=
500 mV.
Fig 9.
Typical output characteristics; BF861B.
Fig 8.
Typical input characteristics; BF861B.
V
GS
(V)
1
0
0.2
0.6
0.4
0.8
mbd467
4
6
2
8
10
I
D
(mA)
0
V
DS
(V)
0
10
8
4
6
2
mbd468
4
6
2
8
10
I
D
(mA)
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
相关PDF资料
PDF描述
BF861B N-channel FET
BF861C N-channel FET
BF862 N-channel junction FET
BF904A N-channel dual-gate MOSFET
BF904A N-channel dual-gate MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
BF861A T/R 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF861A,215 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BF861A,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BF861A Series 25 V 6.5 mA 250 mW Surface Mount N-Channel Junction FETs-SOT-23-3
BF861B 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
BF861B,215 功能描述:射频JFET晶体管 JFET N-CH 25V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel