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参数资料
| 型号： | BFL4001 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 欧姆 @ 3.25A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FI（LS） |
| 包装： | 散装 |
Ordering number : ENA1638B
BFL4001
N-Channel Power MOSFET
900V, 6.5A, 2.7 Ω , TO-220F-3FS
Features
http://onsemi.com
?
?
ON-resistance RDS(on)=2.1 Ω (typ.)
10V drive
?
Input capacitance Ciss=850pF (typ.)
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Symbol
VDSS
VGSS
Conditions
Ratings
900
±30
Unit
V
V
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *4
Avalanche Current *5
IDc*1
IDpack*2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
Limited only by maximum temperature Tch=150 ° C
Tc=25 ° C (Our ideal heat dissipation condition)*3
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C (Our ideal heat dissipation condition)*3
6.5
4.1
13
2.0
37
150
--55 to +150
223
6.5
A
A
A
W
W
° C
° C
mJ
A
Note : * 1 Shows chip capability
* 2 Package limited
* 3 Our condition is radiation from backside.
The method is applying silicone grease to the backside of the device and attaching the device to water-cooled radiator made of aluminium.
* 4 VDD=50V, L=10mH, IAV=6.5A
* 5 L ≤ 10mH, single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7528-001
Product & Package Information
? Package : TO-220F-3FS
? JEITA, JEDEC : SC-67
? Minimum Packing Quantity : 50 pcs./magazine
3.18
10.16
4.7
2.54
BFL4001-1E
Marking
Electrical Connection
2
1.47 MAX
0.8
2.76
FL4001
LOT No.
1
3
1
2
3
0.5
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
2.54
2.54
TO-220F-3FS
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
62712 TKIM/22912 TKIM TC-00002729/31010QB TKIM TC-00002256 No. A1638-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| BFL4026 | MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI |
| BFL4036 | MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-220FI |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFL4001_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| BFL4001-1E | 功能描述:MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS（导通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel |
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| BFL4004-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES - Ammo Pack 制造商:ON Semiconductor 功能描述:FNFLD / NCH 10V DRIVE SERIES |
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