收藏本站
参数资料
型号： BFL4001
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 6/7页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI
标准包装： 100
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 6.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 2.7 欧姆 @ 3.25A，10V
闸电荷(Qg) @ Vgs： 44nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 850pF @ 30V
功率 - 最大： 2W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商设备封装： TO-220FI（LS）
包装： 散装
BFL4001
Outline Drawing
BFL4001-1E
Mass (g) Unit
1.8
* For reference
mm
No. A1638-6/7
相关PDF资料
PDF描述
BFL4004 MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F
BFL4007 MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI
BFL4026 MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI
BFL4036 MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-220FI
BFL4037 MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FI
相关代理商/技术参数
参数描述
BFL4001_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
BFL4001-1E 功能描述:MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS（导通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel
BFL4004 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BFL4004-1E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES - Ammo Pack 制造商:ON Semiconductor 功能描述:FNFLD / NCH 10V DRIVE SERIES
BFL4007 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*