参数资料
型号: BFL4001
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI
标准包装: 100
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.7 欧姆 @ 3.25A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 850pF @ 30V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FI(LS)
包装: 散装
BFL4001
14
ID -- VDS
Tc=25°C
14
ID -- VGS
VDS=20V
12
10V
12
Tc= --25 ° C
10
8
6
20V
7V
10
8
6
25 ° C
75 ° C
6V
4
4
2
5V
2
0
0
5
10
15
20
25
30
VGS=4V
35
40
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
6
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT15294
7
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Tc
IT15295
ID=3.25A
5
6
5
4
V GS
=3
V, D
3
2
Tc=75°C
25°C
--25°C
4
3
2
=
10
I
.25
A
1
1
0
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
7
5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=20V
IT15296
3
2
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15297
VGS=0V
° C
3
2
25
10
7
5
3
5 °
° C
1.0
7
5
Tc
=
--2
C
75
2
1.0
7
5
3
3
2
0.1
7
2
0.1
7
5
3
2
5
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
7
5
3
VDD=200V
VGS=10V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15298
5
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15299
f=1MHz
2
td (off)
1000
7
Ciss
5
100
3
7
5
tf
2
C o ss
100
3
2
tr
td(on)
7
5
C r s
s
3
10
2
7
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Drain Current, ID -- A
IT15300
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15301
No. A1638-3/7
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PDF描述
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