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参数资料
| 型号： | BFL4001 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 欧姆 @ 3.25A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FI（LS） |
| 包装： | 散装 |
BFL4001
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=10mA, VGS=0V
VDS= 720 V, VGS=0V
VGS=±30V, VDS=0V
900
1.0
±100
V
m A
nA
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=20V, ID= 3.25 A
2.0
1.8
3.6
4.0
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= 3.25 A, VGS=10V
VDS=30V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=200V, VGS=10V, ID=6.5A
IS=6.5A, VGS=0V
2.1
850
130
43
19
49
156
52
44
7.0
22
0.85
2.7
1.2
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
PW=10 μ s
D.C. ≤ 0.5%
VGS=10V
VDD=200V
ID=3.25A
RL=61.5 Ω
D
VOUT
≥ 50 Ω
RG
L
G
10V
0V
50 Ω
BFL4001
VDD
BFL4001
P.G
RGS=50 Ω
S
Ordering Information
BFL4001-1E
Device
Package
TO-220F-3FS
Shipping
50pcs./magazine
memo
Pb Free
No. A1638-2/7
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PDF描述 |
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