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参数资料
| 型号： | BFR106 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR106/C<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-free,;BFR106<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 200 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | BFR106 |
September 1995
4
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR106
Fig.2 Power derating curve.
1/2 page (Datasheet)
22 mm
0
50
100
200
200
0
MEA398 - 1
150
Ts
o
Ptot
(mW)
400
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 9 V; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
0
80
40
0
40
120
MBB774
80
IC
hFE
Fig.4
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
= 9 V; f = 500 MHz; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
T
0
40
80
6
2
0
4
MBB773
120
IC
(GHz)
f
Fig.5
Maximum unilateral power gain as a
function of frequency.
I
C
= 30 mA; V
CE
= 6 V; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
GUM
(dB)
0
20
30
10
MEA399
10
2
10
3
10
4
10
f (MHz)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR30 | N-channel FET |
| BFR31 | N-channel FET |
| BFR520T | NPN 9 GHz wideband transistor |
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| BFR520T | NPN 9 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR106,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 15V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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