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参数资料
| 型号： | BFR106 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR106/C<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-free,;BFR106<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 200 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | BFR106 |
September 1995
7
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistor
BFR106
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
1
max.
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
04-11-04
06-03-16
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.1
0.48
0.38
0.15
0.09
3.0
2.8
1.4
1.2
0.95
e
1.9
2.5
2.1
0.55
0.45
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT23
TO-236AB
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.1
0.9
c
X
1
2
3
Plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT23
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| BFR31 | N-channel FET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR106,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 15V 5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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