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参数资料
| 型号： | BFR31 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BFR31<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR31<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR31/C& |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | BFR31 |
1997 Dec 05
3
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
BFR30; BFR31
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Mounted on a ceramic substrate of 8
10
0.7 mm.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
25
25
25
10
5
250
+150
150
UNIT
V
DS
V
DGO
V
GSO
I
D
I
G
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
drain-gate voltage
gate-source voltage
drain current
forward gate current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
65
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
open source
open drain
T
amb
40
C; note 1; see Fig.2
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
Tamb (
°
C)
Ptot
(mW)
200
100
0
40
200
80
120
160
MDA245
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Mounted on a ceramic substrate of 8
10
0.7 mm.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
430
K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BFR31 T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR31,215 | 功能描述:JFET TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BFR31,235 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 25V 5mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BFR31LT1 | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BFR31LT1G | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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