参数资料
型号: BFR31
厂商: NXP Semiconductors N.V.
元件分类: JFETs
英文描述: N-channel FET
封装: BFR31<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR31<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR31/C&
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文件大小: 271K
代理商: BFR31
1997 Dec 05
7
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
BFR30; BFR31
Fig.11 Common source transfer admittance as a
function of drain current; typical values.
V
DS
= 10 V; f = 1 kHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
0
5
2.5
0
2
ID (mA)
4
6
MDA664
yfs
(mA/V)
BFR30
BFR31
Fig.12 Common source output admittance as a
function of drain current; typical values.
V
DS
= 10 V; f = 1 kHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
0
50
25
0
2
ID (mA)
4
6
BFR30
BFR31
MDA665
yos
(
μ
A/V)
Fig.13 Common source output admittance as a
function of drain-source voltage;
typical values.
f = 1 kHz; T
amb
= 25
C.
(1) I
D
= 4 mA. (2) I
D
= 1 mA.
handbook, halfpage
30
(2)
BFR30
BFR31
0
10
20
VDS (V)
4
10
3
10
2
10
MDA666
|
yos
|
(
μ
A/V)
(1)
Fig.14 Input capacitance as a function of
gate-source voltage; typical values.
V
DS
= 10 V; f = 1 MHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
(pF)
0
5
0
1
2
3
4
1
2
3
VGS (V)
4
MDA667
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BFR31,215 功能描述:JFET TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
BFR31,235 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 25V 5mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BFR31LT1 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
BFR31LT1G 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel