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参数资料
| 型号： | BFR31 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BFR31<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR31<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR31/C& |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | BFR31 |
1997 Dec 05
4
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
BFR30; BFR31
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
0.2
UNIT
I
GSS
I
DSS
gate cut-off current
drain current
BFR30
BFR31
gate-source voltage
BFR30
BFR31
gate-source voltage
BFR30
BFR31
gate-source cut-off voltage
BFR30
BFR31
common-source transfer admittance
BFR30
BFR31
common-source transfer admittance
BFR30
BFR31
common source output admittance
BFR30
BFR31
common source output admittance
BFR30
BFR31
input capacitance
V
DS
= 0; V
GS
=
10 V
V
GS
= 0; V
DS
= 10 V
nA
4
1
10
5
mA
mA
V
GS
I
D
= 1 mA; V
DS
= 10 V
0.7
0
3
1.3
V
V
V
GS
I
D
= 50
A; V
DS
= 10 V
4
2
V
V
V
GSoff
I
D
= 0.5 nA; V
DS
= 10 V
5
2.5
V
V
y
fs
I
D
= 1 mA; V
DS
= 10 V; f = 1 kHz;
T
amb
= 25
C
1
1.5
4
4.5
mS
mS
y
fs
I
D
= 200
A; V
DS
= 10 V; f = 1 kHz;
T
amb
= 25
C
0.5
0.75
mS
mS
y
os
I
D
= 1 mA; V
DS
= 10 V; f = 1 kHz
40
25
S
S
y
os
I
D
= 200
A; V
DS
= 10 V; f = 1 kHz
20
15
S
S
C
is
V
DS
= 10 V; f = 1 MHz
I
D
= 1 mA
I
D
= 0.2 nA
V
DS
= 10 V; f = 1 MHz; T
amb
= 25
C
I
D
= 1 mA
I
D
= 200
A
I
D
= 200
A; V
DS
= 10 V;
B = 0.6 to 100 Hz
4
4
pF
pF
C
rs
feedback capacitance
1.5
1.5
0.5
pF
pF
V
V
n
equivalent input noise voltage
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| BFR31LT1 | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BFR31LT1G | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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