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参数资料
| 型号： | BFR31 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel FET |
| 封装： | BFR31<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR31<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR31/C& |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | BFR31 |
1997 Dec 05
6
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel field-effect transistors
BFR30; BFR31
Fig.7
Drain current as a function of junction
temperature; typical values.
BFR30.
V
DS
= 10 V.
handbook, halfpage
25
50
75
125
ID
(mA)
4
2
0
100
MDA661
Tj (
°
C)
VGS = 0 V
0.5
1.0
1.5
2.0
Fig.8 Drain current as a function of junction
temperature; typical values.
BFR31.
V
DS
= 10 V.
handbook, halfpage
1
1.2
25
50
75
125
ID
(mA)
4
2
0
100
MDA662
Tj (
°
C)
0.2
0.4
0.6
0.8
VGS =
0 V
Fig.9
Gate cut-off current as a function of junction
temperature; typical values.
V
GS
=
10 V; V
DS
= 0.
handbook, halfpage
IGSS
(nA)
200
100
50
0
150
Tj (
°
C)
1
10
1
10
2
10
3
MDA656
Fig.10 Gate-source cut-off voltage as a function of
drain current; typical values.
I
D
= 0.5 nA; V
DS
= 10 V; V
GS
= 0; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
10
0
2
4
2
IDSS (mA)
VGS(off)
(V)
4
6
8
MDA663
BFR31
BFR30
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR31 T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR31,215 | 功能描述:JFET TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BFR31,235 | 功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 25V 5mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel |
| BFR31LT1 | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| BFR31LT1G | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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