- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378415 > BFR520 (NXP Semiconductors N.V.) NPN 9 GHz wideband transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BFR520 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR520<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR520<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | BFR520 |
BFR520
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 13 September 2011
4 of 14
NXP Semiconductors
BFR520
NPN 9 GHz wideband transistor
[1]
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming s
12
is zero and
[2]
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V; R
L
= 50
; T
amb
= 25
C; f
p
= 900 MHz; f
q
= 902 MHz
Measured at f
(2p
q)
= 898 MHz and f
(2q
p)
= 904 MHz.
NF
noise figure
s
=
opt
; V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
C
I
C
= 5 mA; f = 900 MHz
I
C
= 20 mA; f = 900 MHz
I
C
= 5 mA; f = 2 GHz
I
C
= 20 mA; V
CE
= 6 V;
R
L
= 50
; T
amb
= 25
C;
f = 900 MHz
-
-
-
-
1.1
1.6
1.9
17
1.6
2.1
-
-
dB
dB
dB
dBm
P
L(1dB)
output power at
1 dB gain
compression
third order
intercept point
ITO
[2]
-
26
-
dBm
Table 7.
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Characteristics
…continued
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
G
UM
10
s
1
2
1
s
11
–
s
22
2
–
-----------------------------------------------------
dB
.
log
=
V
CE
= 6 V.
DC current gain as a function of collector
current.
Fig 1.
Power derating curve.
Fig 2.
0
50
100
200
400
300
100
0
200
mra702
150
P
tot
(mW)
T
sp
(
°
C)
mra703
0
250
50
100
150
200
h
FE
I
C
(mA)
10
1
10
2
1
10
10
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR520 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR520,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN 70MA 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR520,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFR520 Series 15 V 300 mW 9 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-23-3 |
| BFR520,235 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR520 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23 |
| BFR520.215 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:The BFR520 is an NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT23 plastic package |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。