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参数资料
| 型号： | BFR93AR |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 6 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR93AR<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR93AR/A2<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb- |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | BFR93AR |
BFR93AR_1
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 November 2006
5 of 13
NXP Semiconductors
BFR93AR
NPN 6 GHz wideband transistor
I
E
= i
e
= 0 mA; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values
V
CE
= 2 V; f = 500 MHz; T
j
= 25
°
C.
Transition frequency as a function of collector
current; typical values
Fig 4.
Fig 5.
V
CE
= 8 V; f = 500 MHz.
Gain as a function of collector current; typical
values
V
CE
= 8 V; f = 1 GHz.
Gain as a function of collector current; typical
values
Fig 6.
Fig 7.
mbb252
0
4
8
16
1
0
0.8
12
0.6
0.4
0.2
C
c
(pF)
V
CB
(V)
mcd089
0
10
20
40
8
6
2
0
4
30
I
C
(mA)
(GHz)
f
T
mbb255
0
30
20
10
0
10
20
40
I
C
(mA)
gain
(dB)
30
MSG
G
UM
mbb256
0
30
20
10
0
10
20
40
30
gain
(dB)
I
C
(mA)
MSG
G
UM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BFR93AR,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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| BFR93AR-T1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
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