型号: | BFR93AR |
厂商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分类: | 晶体管 |
英文描述: | NPN 6 GHz wideband transistor |
封装: | BFR93AR<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR93AR/A2<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb- |
文件页数: | 6/13页 |
文件大小: | 88K |
代理商: | BFR93AR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
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BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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BFR93AR T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
BFR93AR,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
BFR93AR-GS08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:TRANS GP BJT NPN 12V 0.05A 3PIN SOT-23 - Tape and Reel |
BFR93AR-T1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
BFR93AR-T3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |