- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378415 > BFR93AR (NXP Semiconductors N.V.) NPN 6 GHz wideband transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BFR93AR |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 6 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFR93AR<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR93AR/A2<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb- |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | BFR93AR |
BFR93AR_1
NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 30 November 2006
7 of 13
NXP Semiconductors
BFR93AR
NPN 6 GHz wideband transistor
V
CE
= 8 V.
V
CE
= 8 V.
Fig 12. Minimum noise figure as a function of collector
current; typical values
Fig 13. Minimum noise figure as a function of
frequency; typical values
V
CE
= 8 V; V
O
= 425 mV (52.6 dBmV);
f
p
+
f
q
f
r
= 793.25 MHz; T
amb
= 25
°
C.
Measured in MATV test circuit; see
Figure 1
.
V
CE
= 8 V; V
O
= 200 mV (46 dBmV);
f
p
+
f
q
f
r
= 810 MHz; T
amb
= 25
°
C.
Measured in MATV test circuit; see
Figure 1
.
Fig 14. Intermodulation distortion; typical values
Fig 15. Second order intermodulation distortion;
typical values
mcd094
4
2
1
0
10
1
3
NF
(dB)
I
C
(mA)
f = 2 GHz
500 MHz
1 GHz
10
2
mcd095
4
2
1
0
10
2
3
NF
(dB)
f (MHz)
5 mA
10 mA
10
4
10
3
I
C
= 30 mA
mbb263
(dB)
0
10
20
40
40
65
45
30
50
55
60
I
C
(mA)
IMD
mbb264
0
10
20
40
30
55
35
30
40
45
50
I
C
(mA)
IMD2
(dB)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93AW | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
| BFR93A | NPN 6 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFR93AR T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AR,215 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFR93AR-GS08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:TRANS GP BJT NPN 12V 0.05A 3PIN SOT-23 - Tape and Reel |
| BFR93AR-T1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
| BFR93AR-T3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。