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参数资料
| 型号： | BFS540 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFS540<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,; |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | BFS540 |
2000 May 30
5
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFS540
In Figs 6 to 9, G
UM
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain; G
max
= maximum available
gain.
handbook, halfpage
(dB)
MRC007
0
4
8
12
16
0
10
20
30
40
50
IC
4 V
VCE
Fig.6
Maximum unilateral power gain as a
function of collector current.
f = 900 MHz; T
amb
= 25
C.
Fig.7 Gain as a function of collector current.
V
CE
= 8 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MRC006
0
5
10
0
20
40
60
IC
GUM
Gmax
gain
(dB)
Fig.8 Gain as a function of frequency.
I
C
= 10 mA; V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
gain
(dB)
MRC004
0
10
2
10
20
30
40
10
1
1
10
f (GHz)
MSG
GUM
Gmax
Fig.9 Gain as a function of frequency.
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
gain
(dB)
MRC005
0
10
2
10
20
30
40
10
1
1
10
f (GHz)
MSG
GUM
Gmax
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFS540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFS540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFS540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
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| BFT92W | PNP 4 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFS540 T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFS540,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFS540_00 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFS540115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 15V 9GHZ |
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