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参数资料
| 型号： | BFS540 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 晶体管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封装： | BFS540<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,; |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | BFS540 |
2000 May 30
6
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFS540
Fig.10 Minimum noise figure as a function of
collector current.
V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
F
(dB)
MRC009
0
1
2
3
1
10
10
2
500 MHz
900 MHz
2 GHz
f =
IC
Fig.11 Minimum noise figure as a function of
frequency.
V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
F
MRC003
0
10
1
1
2
3
1
10
f (GHz)
10 mA
(dB)
40 mA
IC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFS540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFS540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFS540 | NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFT46 | N-channel FET |
| BFT92W | PNP 4 GHz wideband transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BFS540 T/R | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFS540,115 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| BFS540_00 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFS540115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 15V 9GHZ |
| BFS540-115 (N4) | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bulk |
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