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参数资料
| 型号： | BR24S256F-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 256KBIT 100KHZ SOP8 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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BR24L □□ -W Series,BR24S □□□ -W Series
● Sync data input / output timing
Technical Note
SCL
tR
tF
tHIGH
SCL
tHD:STA
tSU:DAT
tLOW
tHD:DAT
tSU:STA
tHD:STA
tSU:STO
SDA
(input)
(入力)
SDA
tBUF
tPD
tDH
SDA
(出力)
(output)
○ Input read at the rise edge of SCL
○ Data output in sync with the fall of SCL
Fig.1-(a) Sync data input / output timing
SCL
START BIT
Fig.1-(b) Start-stop bit timing
STOP BIT
SCL
DATA(1)
DATA(n)
SDA
D0
ACK
SDA
D1
D0
ACK
ACK
ｔ WR
Write data
( n-th address )
ｔ W R
Stop condition
Start condition
WP
tSU ： WP
ト ッ プ コ ンデ ィ シ
ス Stop condition ョン
ｔ HD ： WP
SCL
Fig.1-(c) Write cycle timing
Fig.1-(d) WP timing at write execution
DATA(1)
DATA(n)
SDA
D1
D0
ACK
ACK
tHIGH:WP
tWR
WP
At write execution, in the area from the D0 taken clock rise of the first
DATA(1), to tWR, set WP=“LOW”.
By setting WP “HIGH” in the area, write can be cancelled.
When it is set WP=“HIGH” during tWR, write is forcibly ended, and data
of address under access is not guaranteed, therefore write it once again.
Fig.1-(e) WP timing at write cance
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2009.09 - Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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