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参数资料
| 型号： | BR25S128GUZ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM SPI 128KB 12-WLCSP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 12-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | VCSP35L2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BR25S128GUZ-WE2DKR |
Datasheet
WL-CSP
EEPROM family
BR25S128GUZ-W
(128K)
● General Description
BR25S128GUZ-W is a 16K × 8bit serial EEPROM of SPI BUS interface method.
● Features
High speed clock action up to 10MHz (Max.)
Wait function by HOLDB terminal
Part or whole of memory arrays settable as read only
memory area by program
1.7V to 5.5V single power source action most suitable
for battery use
64Byte page write mode useful for initial value write
at factory shipment
For SPI bus interface (CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)
Auto erase and auto end function at data rewrite
Low current consumption
At write action (5V) : 1.5mA (Typ.)
At read action (5V) : 1.0mA (Typ.)
At standby action (5V) : 0.1 μ A (Typ.)
Address auto increment function at read action
Write mistake prevention function
Write prohibition at power on
Write prohibition by command code (WRDI)
Write prohibition by WP pin
Write prohibition block setting by status registers
(BP1, BP0)
Write mistake prevention function at low voltage
Data kept for 40 years
Data rewrite up to 1,000,000 times
Data at shipment Memory array: FFh, status register
WPEN, BP1, BP0 : 0
● Page write
● Package W(Typ.) x D(Typ.) x H(Max.)
VCSP35L2
2.00mm x 2.63mm x 0.40mm
Page
Part Number
● BR25S128GUZ-W
64Byte
BR25S128GUZ-W
Capacity Bit format
Power source voltage
VCSP35L2
128Kbit
16K × 8
1.7V to 5.5V
●
○ Product structure ： Silicon monolithic integrated circuit
○ This product is not designed protection against radioactive rays
www.rohm.com
?2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 ? 14 ? 001
1/23
TSZ02201-0R2R0G100310-1-2
19.Jul.2012 Rev.001
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BR25S256F-WE2 | IC EEPROM SPI 256KB 20MHZ 8-SOP |
| BR34E02FVT-WE2 | IC EEPROM SPD 2KB I2C 8TSSOP |
| BR34L02FV-WE2 | IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8SSOP |
| BR93L76RFVJ-WE2 | IC EEPROM 8KBIT 2MHZ 8TSSOP |
| BS08D-112 | TRIGGER BILTRL SW 175MA TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BR25S128-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:High Reliability Series Serial EEPROMs |
| BR25S256FJ-WE2 | 功能描述:IC EEPROM SPI 256KB 20MHZ 8-SOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOP-J 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:BR93L86FJ-WE2DKR |
| BR25S256F-WE2 | 功能描述:IC EEPROM SPI 256KB 20MHZ 8-SOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOP-J 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:BR93L86FJ-WE2DKR |
| BR25S256-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:High Reliability Series Serial EEPROMs |
| BR25S320FJ-WE2 | 功能描述:IC EEPROM SPI 32KB 20MHZ 8-SOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:16K (1K x 16) 速度:2MHz 接口:Microwire 3 线串行 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOP-J 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1380 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:BR93L86FJ-WE2DKR |
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