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参数资料
| 型号： | BR25S128GUZ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 18/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM SPI 128KB 12-WLCSP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 12-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | VCSP35L2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BR25S128GUZ-WE2DKR |
BR25S128GUZ-W
(128K)
Datasheet
SO load capacity condition
Load capacity of SO output pin affects upon delay characteristic of SO output (Data output delay time, time from HOLDB to
High-Z, Output rise time, Output fall time.). In order to make output delay characteristic into better, make SO load capacity
small.
EEPROM
SO
C L
Figure 44. SO load capacity of data output delay time tPD
○ Other cautions
Make the each wire length from the microcontroller to EEPROM input pin same length, in order to prevent setup / hold
violation to EEPROM, owing to difference of wire length of each input.
● Equivalent circuit
○ Output circuit
SO
OEint.
Figure 45. SO output equivalent circuit
○ Input circuit
RESET int.
CSB
Figure 46. CSB input equivalent circuit
SCK
Figure 47. SCK input equivalent circuit
HOLDB
Figure 49. HOLDB input equivalent circuit
SI
Figure 48. SI input equivalent circuit
WP
Figure 50. WP input equivalent circuit
www.rohm.com
?2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 ? 15 ? 001
18/23
TSZ02201-0R2R0G100310-1-2
19.Jul.2012 Rev.001
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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