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参数资料
| 型号： | BR25S128GUZ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM SPI 128KB 12-WLCSP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 12-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | VCSP35L2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BR25S128GUZ-WE2DKR |
BR25S128GUZ-W
(128K)
Datasheet
● Operating timing characteristics (Ta=-40°C to +85°C, unless otherwise specified, load capacity C L =30pF)
Parameter Symbol
1.7 ≦ Vcc<2.5V 1.8 ≦ Vcc<2.5V 2.5 ≦ Vcc ≦ 5.5V
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.
Unit
SCK frequency
SCK high time
SCK low time
CSB high time
CSB setup time
CSB hold time
SCK setup time
SCK hold time
SI setup time
SI hold time
Data output delay time
Output hold time
Output disable time
HOLDB setting setup time
HOLDB setting hold time
HOLDB release setup time
HOLDB release hold time
Time from HOLDB to output High-Z
Time from HOLDB to output change
f SCK
t SCKWH
t SCKWL
t CS
t CSS
t CSH
t SCKS
t SCKH
t DIS
t DIH
t PD
t OH
t OZ
t HFS
t HFH
t HRS
t HRH
t HOZ
t HPD
-
125
125
250
100
100
100
100
30
50
-
0
-
100
100
100
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
125
-
200
-
-
-
-
100
100
-
80
80
90
60
60
50
50
20
20
-
0
-
0
20
0
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
80
-
80
-
-
-
-
80
80
-
40
40
40
30
30
20
20
10
10
-
0
-
0
10
0
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
40
-
-
-
-
40
40
MHz
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
SCK rise time
SCK fall time
OUTPUT rise time
OUTPUT fall time
Write time
*1
*1
*1
*1
t RC
t FC
t RO
t FO
t E/W
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
100
100
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
50
50
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
40
40
5
μ s
μ s
ns
ns
ms
*1 NOT 100% TESTED
● AC measurement conditions
Parameter
Load capacity
Input rise time
Input fall time
Input voltage
Input / Output judgment voltage
Symbol
C L
-
-
-
-
Min.
-
-
-
Limits
Typ. Max.
- 30
- 50
- 50
0.2Vcc/0.8Vcc
0.3Vcc/0.7Vcc
Unit
pF
ns
ns
V
V
● Sync data input / output timing
tCS
tCSS
tCS
CSB
tSCKS
tSCKWL
tSCKWH
tRC
tFC
CSB
tCSH tSCKH
SCK
tDIS tDIH
SCK
SI
SI
tPD
tOH
tRO,tFO
tOZ
High-Z
SO
High-Z
SO
Figure 1. Input timing
SI is taken into IC inside in sync with data rise edge of
SCK. Input address and data from the most significant bit
MSB
"H"
CSB
Figure 2. Input / Output timing
SO is output in sync with data fall edge of SCK. Data is
output from the most significant bit MSB.
"L"
tHFS
tHFH
tHRS tHRH
SCK
tDIS
SI
n+1
tHOZ
tHPD
n
n-1
SO
Dn+1
Dn
High-Z
Dn
Dn-1
HOLDB
Figure 3. HOLD timing
www.rohm.com
?2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 ? 15 ? 001
3/23
TSZ02201-0R2R0G100310-1-2
19.Jul.2012 Rev.001
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PDF描述 |
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