参数资料
型号: BR25S128GUZ-WE2
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/26页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM SPI 128KB 12-WLCSP
标准包装: 1
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 128K (16K x 8)
速度: 10MHz
接口: SPI 3 线串行
电源电压: 1.7 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 12-XFBGA,CSPBGA
供应商设备封装: VCSP35L2
包装: 标准包装
其它名称: BR25S128GUZ-WE2DKR
BR25S128GUZ-W
(128K)
Datasheet
● Absolute Maximum Ratings (Ta=25 ℃ )
Parameter Symbol
Ratings
Unit
Remarks
Supply Voltage
V CC
-0.3 to +6.5
V
Power Dissipation
Storage Temperature
Operating Temperature
Terminal Voltage
Pd
Tstg
Topr
220 (VCSP35L2)
- 65 to +125
- 40 to +85
-0.3 to Vcc+0.3 * 1
mW
V
Degradation is done at 4.5mW, for operation above 25 ℃ .
*1 The Max value of Terminal Voltage is not over 6.5V.
● Memory cell characteristics (Ta=25°C , Vcc=1.7V to 5.5V)
Parameter
Limits
Min. Typ.
Max.
Unit
Number of data rewrite times *1
Data hold years *1
1,000,000
40
-
-
-
-
Times
Years
*1 Not 100% TESTED
● Recommended Operating Ratings
Parameter Symbol
Ratings
Unit
Power source voltage
Input voltage
Vcc
V IN
1.7 to 5.5
0 to Vcc
V
● Input / output capacity (Ta=25°C, frequency=5MHz)
Parameter Symbol Min.
Max.
Unit
Conditions
Input capacity *1
Output capacity *1
C IN
C OUT
8
8
pF
V IN =GND
V OUT =GND
*1
Not 100% TESTED.
● Electrical characteristics (Unless otherwise specified, Ta=-40°C to +85°C, Vcc=1.7V to 5.5V)
Parameter
“H” Input Voltage1
“L” Input Voltage1
“L” Output Voltage1
“L” Output Voltage2
“H” Output Voltage1
“H” Output Voltage2
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Operating Current Write
Operating Current Read
Symbo
l
VIH1
VIL1
VOL1
VOL2
VOH1
VOH2
ILI
ILO
ICC1
ICC2
ICC3
ICC4
ICC5
ICC6
ICC7
ICC8
ICC9
ICC10
Min.
0.7xVcc
-0.3
0
0
Vcc-0.2
Vcc-0.2
-1
-1
Limits
Typ.
Max.
Vcc+0.3
0.3xVcc
0.4
0.2
Vcc
Vcc
1
1
0.5
1
2
1
1
1.5
2
2
4
8
Unit
V
V
V
V
V
V
μ A
μ A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Conditions
1.7 ≦ Vcc ≦ 5.5V
1.7 ≦ Vcc ≦ 5.5V
IOL=2.1mA, 2.5 ≦ Vcc<5.5V
IOL=1.0mA, 1.7 ≦ Vcc<2.5V
IOH=-0.4mA, 2.5V ≦ Vcc<5.5V
IOH=-100 μ A, 1.7 ≦ Vcc<2.5V
V IN =0 to Vcc
V OUT =0 to Vcc, CSB=Vcc
Vcc=1.8V,fSCK=5MHz, tE/W=5ms
Byte Write , Page Write
Vcc=2.5V,fSCK=10MHz, tE/W=5ms
Byte Write , Page Write
Vcc=5.5V,fSCK=10MHz, tE/W=5ms
Byte Write , Page Write
Vcc=1.8V,fSCK=5MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=2.5V,fSCK=2MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=2.5V,fSCK=5MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=2.5V,fSCK=10MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=5.5V,fSCK=5MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=5.5V,fSCK=10MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=5.5V,fSCK=20MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=5.5V, CSB=Vcc, SCK=SI=Vcc or GND
Standby Current
ISB
2
μ A
HOLDB=WP=Vcc, SO=OPEN
www.rohm.com
?2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111 ? 15 ? 001
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TSZ02201-0R2R0G100310-1-2
19.Jul.2012 Rev.001
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