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参数资料
| 型号： | BR25S128FV-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM SPI 128KB 20MHZ 8-SSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SSOPB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BR25S128FV-WE2DKR |
BR25S □□□ Series
● Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Technical Note
● Memory cell characteristics (Ta=25°C , Vcc=1.7V ～ 5.5V)
Vcc -0.3 ～ +6.5
Parameter Symbol Limits
Impressed
voltage
450(SOP8)
*1
Unit
V
Parameter
Number of
data rewrite times *1
Min.
1,000,000
Limits
Min.
－
Min.
－
Unit
Time
Data hold years
40
Permissible
dissipation
Pd
450(SOP-J8)
300(SSOP-B8)
330(TSSOP-B8)
310(MSOP8)
*2
*3
*4
*5
mW
*1
* 1 Not 100% TESTED
● Recommended action conditions
－
－
Year
310(TSSOP-B8J)
*6
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Storage
temperature
Tstg
300(VSON008X2030)
-65 ～ +125
*7
℃
Power source voltage
Input voltage
V CC
V IN
1.7 ～ 5.5
0 ～ Vcc
V
range
Operating
● Input / output capacity (Ta=25°C, frequency=5MHz)
temperature
Topr
-40 ～ +85
℃
Parameter
Symbol Conditions
Min.
Max.
Unit
range
Terminal
voltage
－
-0.3 ～ Vcc+0.3
V
Input capacity *1
Output capacity *1
C IN
C OUT
V IN =GND
V OUT =GND
－
－
8
8
pF
* When using at Ta=25 ℃ or higher, 4.5mW(*1, *2),
*1
Not 100% TESTED.
3.0mW(*3, *7),3.3mW(*4), 3.1mW(*5, *6) to be reduced per 1 ℃
● Electrical characteristics (Unless otherwise specified, Ta=-40 ～ +85°C, Vcc=1.7 ～ 5.5V)
Parameter Symbol
Limits
Min. Typ. Max.
Unit
Conditions
“H” Input Voltage1
“L” Input Voltage1
“L” Output Voltage1
“L” Output Voltage2
“H” Output Voltage1
“H” Output Voltage2
Input Leakage Current
Output Leakage Current
VIH1
VIL1
VOL1
VOL2
VOH1
VOH2
ILI
ILO
0.7xVcc
-0.3
0
0
Vcc-0.2
Vcc-0.2
-1
-1
－
－
－
－
－
－
－
－
Vcc+0.3
0.3xVcc
0.4
0.2
Vcc
Vcc
1
1
V
V
V
V
V
V
μ A
μ A
1.7 ≦ Vcc ≦ 5.5V
1.7 ≦ Vcc ≦ 5.5V
IOL=2.1mA, 2.5 ≦ Vcc<5.5V
IOL=1.0mA, 1.7 ≦ Vcc<2.5V
IOH=-0.4mA, 2.5V ≦ Vcc<5.5V
IOH=-100μA, 1.7 ≦ Vcc<2.5V
V IN =0 ～ Vcc
V OUT =0 ～ Vcc, CSB=Vcc
ICC1
－
－
0.5
1
*1
*2
mA
Vcc=1.8V, fSCK=5MHz, tE/W=5ms
Byte Write, Page Write, Write Status register
Operating Current Write
Operating Current Read
Standby Current
ICC2
ICC3
ICC4
ICC5
ICC6
ICC7
ICC8
ICC9
ICC10
ISB
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
1
1.5
2
3
1
1
1.5
2
2
4
8
2
*1
*2
*1
*2
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μ A
Vcc=2.5V, fSCK=10MHz, tE/W=5ms
Byte Write, Page Write, Write Status register
Vcc=5.5V, fSCK=20MHz, tE/W=5ms
Byte Write, Page Write, Write Status register
Vcc=1.8V, fSCK=5MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=2.5V, fSCK=2MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=2.5V, fSCK=5MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=2.5V, fSCK=10MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=5.5V, fSCK=5MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=5.5V, fSCK=10MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=5.5V, fSCK=20MHz, SO=OPEN
Read, Read Status Register
Vcc=5.5V, SO=OPEN
CSB=HOLDB=WPB=Vcc, SCK=SI=Vcc or GND
*1 BR25S320/640-W
*2 BR25S128/256-W
○
Radiation resistance design is not made
www.rohm.com
? 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.12 - Rev.B
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