参数资料
| 型号： | BR93L46FJ-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 1KBIT 2MHZ 8SOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 1K (64 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP-J |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1380 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR93L46FJ-WE2DKR |
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BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series, BR93H □□ -WC Series
Technical Note
● Electrical characteristics
(Unless otherwise specified, VCC=2.5 ～ 5.5V, Ta=-40 ～ +85 ℃ , BR93L □□ -W, Ta=-40 ～ +105 ℃ , BR93A □□ -WM)
Parameter Symbol
Limits
Min. Typ. Max.
Unit Condition
“L” input voltage 1
“L” input voltage 2
“H” input voltage 1
“H” input voltage 2
“L” output voltage 1
“L” output voltage 2
“H” output voltage 1
“H” output voltage 2
Input leak current
Output leak current
Current consumption
at action
Standby current
V IL1
V IL2
V IH1
V IH2
V OL1
V OL2
V OH1
V OH2
I LI
I LO
I CC1
I CC2
I CC3
I SB
-0.3
-0.3
2.0
0.7 x VCC
0
0
2.4
VCC-0.2
-1
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+0.8
0.2 x VCC
VCC+0.3
VCC+0.3
0.4
0.2
VCC
VCC
+1
+1
3.0
1.5
4.5
2
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
mA
μA
4.0V ≦ VCC ≦ 5.5V
VCC ≦ 4.0V
4.0V ≦ VCC ≦ 5.5V
VCC ≦ 4.0V
I OL =2.1mA, 4.0V ≦ VCC ≦ 5.5V
I OL =100 μ A
I OH =-0.4mA, 4.0V ≦ VCC ≦ 5.5V
I OH =-100 μ A
V IN =0V ～ VCC
V OUT =0V ～ VCC, CS=0V
f SK =2MHz, t E/W =5ms (WRITE)
f SK =2MHz (READ)
f SK =2MHz, t E/W =5ms (WRAL, ERAL)
CS=0V, DO=OPEN
◎ Radiation resistance design is not made.
(Unless otherwise specified, VCC=1.8 ～ 2.5V, Ta=-40 ～ +85 ℃ , BR93L □□ -W)
Parameter Symbol
Limits
Min. Typ. Max.
Unit
Condition
“L” input voltage
“H” input voltage
V IL
V IH
-0.3
0.7 x VCC
-
-
0.2 x VCC
VCC+0.3
V
V
“L” output voltage
“H” output voltage
Input leak current
Output leak current
Current consumption
at action
Standby current
V OL
V OH
I LI
I LO
I CC1
I CC2
I CC3
I SB
0
VCC-0.2
-1
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.2
VCC
+1
+1
1.5
0.5
2
2
V
V
μ A
μ A
mA
mA
mA
μ A
I OL =100 μ A
I OH =-100 μ A
V IN =0V ～ VCC
V OUT =0V ～ VCC, CS=0V
f SK =500kHz, t E/W =5ms (WRITE)
f SK =500kHz (READ)
f SK =500kHz, t E/W =5ms (WRAL, ERAL)
CS=0V, DO=OPEN
◎ Radiation resistance design is not made.
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.09 - Rev.G
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