参数资料
| 型号： | BR93L56FVT-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 8/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 2K (128 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP-B |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1380 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BR93L56FVT-WE2DKR |
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BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series, BR93H □□ -WC Series
Technical Note
● BR93A □□ -WM
Characteristic data (The following characteristic data are Typ. values.)
Fig.32 H output voltage VIH(CS,SK,DI)
Fig.33 H input voltage VIL(CS,SK,DI)
Fig.34
L output voltage VOL-IOL(Vcc=2.5V)
Fig.35 L output voltage VOL-IOL(Vcc=4.0V)
Fig.36
H output voltage VOH-IOH(Vcc=2.5V)
Fig.37 H output voltage VOH-IOH(Vcc=4.0V)
Fig.38 In put leak current ILI(CS,SK,DI)
Fig.39 O utput leak current ILO(DO)
Fig.40
Current consumption at WRITE action
Icc1(WRITE, fSK=2MHz)
Fig.41 Consumption current at READ action
Fig.42
Consumption current at WRAL action
Fig.43
Consumption current at standby action ISB
Icc2(READ, fSK=2MHz)
Icc3(WRAL, fSK=2MHz)
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2011.09 - Rev.G
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参数描述 |
|---|---|
| BR93L56FV-W | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:EEPROM,2kb,128Wx16b,Microwire Bus,SSOP8 |
| BR93L56FV-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 128X16 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BR93L56F-W | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC,Memory,EEPROM,Serial SOP8 128x16 SER |
| BR93L56F-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 128X16 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| BR93L56RF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM |
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