参数资料
| 型号： | BR93L66RFVM-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 23/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8MSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (256 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series, BR93H □□ -WC Series
● Absolute Maximum Ratings (Ta=25 ℃ )
Technical Note
Parameter
Impressed voltage
Symbol
VCC
Limits
-0.3 ～ +6.5
*1
560 (SOP8)
Unit
V
Permissible dissipation
Pd
560 (SOP-J8)
*2
mW
380 (MSOP8)
*3
Storage temperature range
Action temperature range
Terminal voltage
Tstg
Topr
‐
-65 ～ +150
-40 ～ +125
-0.3 ～ VCC+0.3
℃
℃
V
*When using at Ta=25 ℃ or higher, 4.5mW(*1,*2), 3.1mW(*3), to be reduced per 1 ℃ .
● Memory cell characteristics (VCC=2.7 ～ 5.5V)
Endurance *1
Data retention *1
Parameter
Min.
1,000,000
500,000
300,000
40
20
Limit
Typ.
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
-
-
Limit
Times
Times
Times
Years
Years
Limit
Ta ≦ 85 ℃
Ta ≦ 105 ℃
Ta ≦ 125 ℃
Ta ≦ 25 ℃
Ta ≦ 125 ℃
*1
Not 100% TESTED
● Recommended action conditions
Parameter
Power source voltage
Input voltage
Symbol
VCC
V IN
Limits
2.7 ～ 5.5
0 ～ VCC
Unit
V
● E lectrical characteristics (Unless otherwise specified, Ta=-40 ～ +125 ℃ , V CC =2.7 ～ 5.5 V)
Parameter Symbol
Limits
Min. Typ. Max.
Unit Conditions
“L” input voltage
“H” input voltage
“L” output voltage 1
“L” output voltage 2
“H” output voltage 1
“H” output voltage 2
V IL
V IH
V OL1
V OL2
V OH1
V OH2
-0.3 - 0.3xVCC V
0.7xVCC - VCC+0.3 V
0 - 0.4 V I OL =2.1mA, 4.0V ≦ VCC ≦ 5.5V
0 - 0.2 V I OL =100 μ A
2.4 - VCC V I OH =-0.4mA, 4.0V ≦ VCC ≦ 5.5V
VCC-0.2 - VCC V I OH =-100 μ A
Input leak current
Output leak current
I LI
I LO
-10 - 10
-10 - 10
μ A V IN =0V ～ VCC
μ A V OUT =0V ～ VCC, CS=0V
Current consumption at
action
I CC1
I CC2
I CC3
- - 3.0 mA f SK =1.25MHz, t E/W =10ms (WRITE)
- - 1.5 mA f SK =1.25MHz (READ)
- - 4.5 mA f SK =1.25MHz, t E/W =10ms (WRAL)
Standby current
I SB
- 0.1 10
μ A CS=0V, DO=OPEN
◎ Radiation resistance design is not made.
● Action timing characteristics (Unless otherwise specified, Ta=-40 ～ +125 ℃ , V CC =2.7 ～ 5.5V)
Parameter Symbol Min. Typ.
Max.
Unit
SK frequency
SK “H” time
SK “L” time
CS “L” time
CS setup time
DI setup time
CS hold time
DI hold time
Data “1” output delay time
Data “0” output delay time
Time from CS to output establishment
Time from CS to High-Z
Write cycle time
Write cycle time(BR93H66RFVM-WC)
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
f SK
t SKH
t SKL
t CS
t CSS
t DIS
t CSH
t DIH
t PD1
t PD0
t SV
t DF
t E/W
t E/W
23/40
- -
250 -
250 -
200 -
200 -
100 -
0 -
100 -
- -
- -
- -
- -
- 7
- -
1.25
-
-
-
-
-
-
-
300
300
200
200
10
5
MHz
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
2011.09 - Rev.G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| BR93L66RFV-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM |
| BR93L66RFV-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 256X16 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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