参数资料
| 型号： | BR93L66RFVM-WE2 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 24/41页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8MSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (256 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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BR93L -W Series, 93A □□ -WM Series, BR93H □□ -WC Series
● Sync data input / output timing
CS
Technical Note
tCSS
tSKH
tSKL
tCSH
SK
DI
tDIS
tDIH
tPD0
tPD1
DO
(READ)
tDF
DO (WRITE)
STATUS VALID
Fig.1 Sync data input / output timing diagram
○ Data is taken by DI sync with the rise of SK.
At read action, data is output from DO in sync with the rise of SK.
○ The status signal at write (READY / BUSY) is output after tCS from the fall of CS after write command input, at the area
DO where CS is “H”, and valid until the next command start bit is input. And, white CS is “L”, DO becomes High-Z.
○ After completion of each mode execution, set CS “L” once for internal circuit reset, and execute the following action mode.
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2011.09 - Rev.G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BR93L66RFVM-WTR | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 256X16 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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| BR93L66RFV-W | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Microwire BUS 4Kbit(256 x 16bit) EEPROM |
| BR93L66RFV-WE2 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 SRL 256X16 BIT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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