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参数资料
| 型号： | BSF030NE2LQ |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 24 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | GREEN, METAL, WDSON-2 |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 1563K |
| 代理商： | BSF030NE2LQ |
OptiMOS Power-MOSFET
BSF030NE2LQ
Electrical characteristics diagrams
Final Data Sheet
6
2.2, 2011-04-07
Table 10
5 Typ. output characteristics
T
C=25 °C
6 Typ. drain-source on-state resistance
I
D=f(VDS); Tj=25 °C; parameter: VGS
R
DS(on)=f(ID); Tj=25 °C; parameter: VGS
Table 11
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D=f(VGS); |VDS|>2|ID|RDS(on)max
g
fs=f(ID); Tj=25 °C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BT485AKPJ135 | 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84 |
| BT68561AKPJ | 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC68 |
| BT68560AKPJ | 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BSF045N03LQ3 G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSF045N03LQ3GXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 18A 6-Pin WDSON T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel |
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