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参数资料
| 型号： | BSF030NE2LQ |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 24 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | GREEN, METAL, WDSON-2 |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 1563K |
| 代理商： | BSF030NE2LQ |
OptiMOS Power-MOSFET
BSF030NE2LQ
Final Data Sheet
2
2.2, 2011-04-07
2
Maximum ratings
at
T
j = 25 °C, unless otherwise specified.
3
Thermal characteristics
Table 2
Maximum ratings
Parameter
Symbol
Values
Unit
Note / Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Continuous drain current
I
D
--
75
A
V
GS=10 V, TC=25 °C
--
47
V
GS=10 V, TC=100 °C
--
24
V
GS=10 V, TA=25 °C,
R
thJA=45 K/W
1))
1) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain connection.
PCB is vertical in still air.
Pulsed drain current
2)
See figure 3 for more detailed information
I
D,pulse
--
300
T
C=25 °C
Avalanche current, single pulse
3)
3) See figure 13 for more detailed information
I
AS
--
40
Avalanche energy, single pulse
E
AS
--
50
mJ
I
D=35 A,RGS=25 Ω
Gate source voltage
V
GS
-20
-
20
V
Power dissipation
P
tot
--
28
W
T
C=25 °C
--
2.2
T
A=25 °C, RthJA=58 K/W
Operating and storage temperature
T
j,Tstg
-40
-
150
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
-
Table 3
Thermal characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
Note /
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
1.0
-
K/W
bottom
--
4.5
top
Device on PCB
R
thJA
--
58
6 cm
2 cooling area1)
1) See figure 13 for more detailed information
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSZ086P03NS3EG | 13.5 A, 30 V, 0.0134 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BT485AKPJ135 | 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84 |
| BT68561AKPJ | 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC68 |
| BT68560AKPJ | 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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