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参数资料
| 型号： | BSM100GD60DLC |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ECONO3, 39 PIN |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | BSM100GD60DLC |
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 100 GD 60 DLC
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
VCES
600
V
Tc= 65°C
IC,nom.
100
A
Tc= 25°C
IC
130
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP= 1ms, Tc= 65°C
ICRM
200
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C, Transistor
Ptot
430
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
VGES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
100
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP= 1ms
IFRM
200
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2t - value, Diode
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
I
2t
3.200
A
2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
IC= 100A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
-
1,95
2,45
V
IC= 100A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
-
2,20
-
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 1,5mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Eingangskapazitt
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
-
4,3
-
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cres
-
0,4
-
nF
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
-
1
500
A
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C
-1
-
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
IGES
-
400
nA
prepared by: Andreas Vetter
date of publication: 2000-04-26
approved by: Michael Hornkamp
revision: 1
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
VCE sat
ICES
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1 (8)
BSM 100 GD 60 DLC
2000-02-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM150GXL120DN2 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| BSM25GD100D | IGBT MODULE |
| BST-110-13-L-D-230-RA | 20 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
| BST-127-08-G-D230-RA | 54 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
| BST-126-08-G-D-230-RA | 52 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BSM100GT170DL | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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