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参数资料
| 型号： | BSM100GD60DLC |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ECONO3, 39 PIN |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | BSM100GD60DLC |
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 100 GD 60 DLC
Z
th
JC
[K
/
W
]
t [sec]
i
1234
ri [K/kW] : IGBT
12,3
152,0
102,2
23,5
τ
i [sec]
: IGBT
0,0018
0,0240
0,0651
0,6626
ri [K/kW] : Diode
193,8
185,9
116,8
53,5
τ
i [sec]
: Diode
0,0487
0,0169
0,1069
0,9115
I C
[A]
VCE [V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
VGE= +15V, RG,off= 2,2,
,
, T
vj= 125°C
Transienter Wrmewiderstand
Z thJC = f (t)
Transient thermal impedance
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
0
100
200
300
400
500
600
700
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth:IGBT
Zth:Diode
7 (8)
BSM 100 GD 60 DLC
2000-02-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM150GXL120DN2 | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| BSM25GD100D | IGBT MODULE |
| BST-110-13-L-D-230-RA | 20 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
| BST-127-08-G-D230-RA | 54 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
| BST-126-08-G-D-230-RA | 52 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE TWO PART BOARD CONNECTOR, SOLDER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSM-100G-LF | 功能描述:板上安装压力/力传感器 0-100Psi Non-ported 6VDC supply RoHS:否 制造商:Honeywell 工作压力:0 bar to 4 bar 压力类型:Gage 准确性:+ / - 0.25 % 输出类型:Digital 安装风格:Through Hole 工作电源电压:5 V 封装 / 箱体:SIP 端口类型:Dual Radial Barbed, Same sides |
| BSM-100G-LP | 功能描述:板上安装压力/力传感器 0-100Psi Ported 6VDC supply RoHS:否 制造商:Honeywell 工作压力:0 bar to 4 bar 压力类型:Gage 准确性:+ / - 0.25 % 输出类型:Digital 安装风格:Through Hole 工作电源电压:5 V 封装 / 箱体:SIP 端口类型:Dual Radial Barbed, Same sides |
| BSM100GP60 | 功能描述:IGBT 模块 600V 100A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| BSM100GT120DN2 | 功能描述:IGBT 模块 1200V 100A TRIPACK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| BSM100GT170DL | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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